6月2日晚上，先进半导体材料与器件团队在崇真楼南楼A2045进行了开展组会，全体成员和各位导师共同参加。在这次组会上，由三位研一学生进行分享交流，老师与同学们对分享内容进行了沟通讨论。通过此次分享交流会，同学们表示收获颇丰。
丁露露重点介绍KBe₂BO₃F₂（KBBF）介质纳米片，具有超过8 eV的宽禁带以及高达63的介电常数。基于这种优异的介电特性，在等效氧化层厚度（EOT）为0.62 nm、栅压15 V条件下，器件的漏电流低至10⁻⁶ A/cm²，并且在6.6 V下预计可稳定工作超过10年。采用KBBF作为栅介质的MoS₂晶体管展现出卓越性能：亚阈值摆幅（SS）达到60 mV/dec（室温理论极限），开关比高达10⁹。此外，KBBF优异的静电控制能力支持短沟道器件及反相器电路的构建。该研究拓展了二维器件栅介质材料体系，为低功耗二维电子学和集成电路发展提供了新的可能。
冯轶好汇报了一篇关于二维范德华异质结光电器件的最新研究。该工作通过界面改性制备出可栅压调控正、负双向光响应的晶体管，实现了显著的负光电导效应，明确了界面载流子复合的物理机制，并成功将其应用于光信息加密保护与人工突触、模式识别等类脑计算场景，为多功能智能光电子器件提供了新思路。
李建明通过“气-液-固”生长机制结合“离子交换”过程，成功合成了全组分范围可调的InAsxP1-x(0 ≤ x ≤ 1) 三元合金纳米线。基于这些纳米线，构建了带隙选择性红外光电探测器，实现了探测波长从近红外到中红外的连续调控 。更重要的是，得益于三元合金内部电子浓度的提升，其光电探测性能甚至超越了传统的二元纳米线。并且讲解了费米钉扎效应。
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