微电子学院何云斌教授在中国材料大会2025做主题学术报告

2025年7月5日-8日，备受瞩目的中国材料大会2025在厦门国际会展中心盛大举行。本届大会开幕式特邀中国硅酸盐学会理事长高瑞平、中国微米纳米技术学会理事长段文晖、中国造纸学会理事长曹春昱、中国金属学会副理事长兼秘书长王新江、中国晶体学会副理事长兼秘书长孙俊良出席。大会近3万人莅临现场，线上参会人数达350万余人，国内新材料领域院士专家悉数出席，700余家大型企业、央企和上市公司负责人出席大会。武汉纺织大学微电子学院何云斌教授受邀参会，并就高质量氧化镓薄膜异质外延生长及其特性表征方面的研究成果做主题学术报告。

何云斌老师在报告中详细阐述了两项具体研究。其一，采用PLD法在MgO（100）基底上生长出高质量β-Ga₂O₃外延薄膜，7Pa氧压下制备的探测器性能优于C-sapphire基底上的产品。其二，探究α-Ga₂O₃超薄膜在Au（111）表面的生长特性，发现2D-GaO的稳定性及带隙等特性。

何云斌老师的此次参会及报告，不仅展示了武汉纺织大学在氧化镓薄膜研究领域的最新成果，也为该校与国内外同行的交流与合作搭建了良好平台，有助于推动相关研究的进一步发展，为氧化镓材料的实际应用奠定了坚实基础。