12月11日下午，武汉纺织大学第906期阳光论坛在阳光校区建全会堂全棉时代厅顺利举行。本次论坛由微电子学院主办，特邀北京理工大学集成电路与电子学院沈国震教授来校作“智能可穿戴电子”专题学术报告。论坛由微电子学院院长陈长清教授主持，学院教师、研究生与本科生等百余人参加。
作为国家杰出青年科学基金获得者、柔性电子器件与智造研究所所长，沈国震教授长期从事低维半导体材料、柔性电子器件及智能可穿戴系统的研究工作，在Nature Communications、Science Advances、Advanced Materials等国际期刊发表SCI论文400余篇，h-index达113，科研成果影响广泛。他入选科睿唯安全球高被引科学家、Elsevier中国高被引学者，是国际材料与柔性电子领域的重要学者。
在报告中，沈国震教授从柔性电子技术的背景与发展讲起，指出传统硅基器件在机械柔顺性和应用场景方面存在天然限制，而柔性电子凭借可弯折、可拉伸、轻量化等特性，为可穿戴设备、健康监测、人机交互以及国防装备带来了新的可能性。他系统介绍了团队近年来在低维半导体构筑、柔性传感器设计、柔性晶体管开发以及智能可穿戴系统集成方面的重要进展，展示了多个具有代表性的科研成果和应用案例。
报告内容深入浅出，既有材料与器件层面的技术创新，也有面向智能健康与智能交互的系统化应用思路，引发在场师生的广泛兴趣。现场交流环节中，多位教师和学生就柔性器件的性能可靠性、可穿戴系统的集成策略以及未来技术走向等问题与沈教授展开讨论，学术氛围浓厚。
陈长清院长表示，智能可穿戴电子是微电子技术与材料科学快速交叉融合的前沿方向，此次报告为学院在相关领域的科研布局和人才培养提供了宝贵启发。学院也将继续加强与国内高水平科研团队的交流合作，推动科研创新与学科发展。
12月9日上午，武汉纺织大学第905期阳光论坛在阳光校区建全会堂全棉时代厅成功举办。本次论坛由微电子学院主办，特邀武汉大学周圣军教授作题为“半导体照明与显示用高效率氮化物LED外延生长与芯片制造技术”的学术报告。论坛由微电子学院院长陈长清教授主持，学院教师、研究生与本科生等百余名师生共同参加。
开场中，陈长清院长对周圣军教授在氮化物半导体、LED外延生长与芯片制造等领域的长期研究及重要成果进行了介绍，并对周教授莅临我校交流表示热烈欢迎。他表示，氮化物LED技术是支撑新型显示、照明以及深紫外应用的重要基础，本次报告对学院的科研与人才培养均具有重要启发意义。
在报告中，周圣军教授围绕Mini/Micro-LED、长波长InGaN LED和深紫外LED三个方向展开系统讲解。他详细介绍了团队通过MOCVD原位生长、ICP刻蚀、激光加工、TMAH湿法腐蚀等工艺在芯片关键区域构建微纳结构，以提升光提取效率的研究进展。同时，他展示了针对汽车大灯等高电流应用场景所设计的三维倒装结构LED芯片，展示了如何通过改进电极布局提升电流扩展均匀性与光输出效率。此外，周教授还介绍了其团队在In组分控制、量子阱结构设计、超薄隧道结与蜂窝状反射镜阵列等方面的创新成果，为实现高性能长波长与深紫外LED提供了新的技术路径。
在互动交流环节，师生就LED外延材料表征、芯片结构优化、深紫外器件的发展趋势等问题踊跃提问。周教授结合自身丰富的科研经验，逐一给予耐心解答，现场学术氛围浓厚。
本次阳光论坛不仅让师生全面了解了氮化物LED领域的最新研究动态，也为微电子学院进一步深化在宽禁带半导体材料与器件方向的科研合作打下了良好基础。学院将持续邀请国内外专家来校交流，推动学科建设与科研创新不断迈上新台阶。
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